在光刻機領域內，ASML是當之無愧的巨頭，因為ASML研發製造的DUV光刻機和EUV光刻機幾乎占領了中高端市場。
尤其是EUV光刻機，其更是生產製造7nm以下製程晶片的必要設備，至今仍供不應求。
但ASML卻不能自由出貨，尤其是EUV光刻機。據悉，EUV光刻機被研發製造出來後，其就不能自由出貨，甚至連外企中國分廠出貨都不行。
也正是因為EUV光刻機不能自由出貨，再加上產能不足、生產成本高等因素，越來越多的廠商開始繞開EUV光刻機生產製造晶片，或者說是拋棄ASML的EUV光刻機。
四條路線基本清晰，ASML的EUV光刻機正在被「圍剿」
就目前而言，已經有四條基本清晰的路線，目的就是繞過ASML的EUV光刻機，也可以說是「拋棄」EUV光刻機，讓其不再是生產製造7nm等晶片的必要設備。
第一條，光電晶片路線。
任正非曾明確表示，要想在矽晶片技術上完全繞開美技術並非易事，而光電晶片則完全可以繞開美技術。
關鍵是，光電晶片還具備更大、更快的傳輸特點，更適合萬物聯網。
華為已經計劃投資10億英鎊在劍橋附近建設光電晶片研發中心等。除了華為之外，還有很多國家和地區的企業都在發展光電晶片。
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據悉，荷蘭已經計劃投資11億歐元研發光電晶片等相關技術，目的就是想在下一代晶片領域內提前布局，而德國相關機構也已經開始就光電晶片相關課題進行研究了。
第二條，佳能、鎧俠等聯合推出NIL工藝路線。
要想生產7nm晶片以下製程的晶片，EUV光刻機可以說必需品，雖然DUV光刻機也可以，但成本高、工藝復雜，台積電都不用了。
由於EUV光刻機產能不足且不能自由出貨，很多廠商都想繞過EUV光刻機生產製造7nm等晶片。
於是，佳能、鎧俠等廠商聯合研發了NIL工藝，目前該工藝已經用於生產15nm的儲存晶片。
根據佳能等聯合發布的消息可知，其計劃將NIL工藝也用於生產非儲存晶片，2025年就能夠量產5nm製程的晶片，並計劃在全球范圍內推廣該技術。
相比EUV工藝而言，NIL工藝不需要EUV光刻機，不僅能夠降低90%的設備費用，還能夠節約大量的能源費用。
可以說，NIL工藝的出現，讓生產製造7nm、5nm等晶片不用再依賴EUV光刻機。
第三條，俄計劃研發先進的X射線光刻機。
英特爾、高通、ARM以及ASML等紛紛宣布暫停向俄當地市場出貨，俄不僅計劃投資超9000億發展ICT產業，還計劃投資超3萬億發展晶片半導體技術。
其中，計劃今年量產90nm製程的晶片，2030年量產28nm等製程的晶片，關鍵是，俄方面還計劃研發先進的X射線光刻機。
相比現有的EUV光刻機，X射線光刻機採用了更為先進的X射線作為光源，其下限更大，可以帶來更高的光刻精度。
第四條，堆疊技術晶片，實際上是先進的封裝技術。
堆疊技術晶片並不陌生，因為英特爾、英偉達等早就推出了類似的晶片，但蘋果的M1 Ultra晶片將堆疊晶片技術推向了公眾面前。
華為也做出了明確的表態，未來可能會採用多核架構的晶片，用堆疊、面積換性能，並發布了多項與堆疊晶片有關的專利，主要涉及製造以及成本控制等。
據悉，堆疊技術的晶片實際上就是一種採用先進封裝技術的晶片，將多顆晶片封裝在一起，從而實現強大的性能，但晶片製程不變。
可以說，先進的封裝技術也能大大提升晶片的性能，台積電的封裝技術更是將單顆7nm晶片的性能提升40%，關鍵是不改變晶片製程。
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