打破技術壁壘,國產「氮化鎵晶片」崛起,躋身全球前三

晶片的種類繁多,根據不同的領域所需求的晶片也是不一樣的。就拿手機快充技術而言,為什麼有的手機廠商能實現120W的超級快充,其實這背後離不開氮化鎵晶片的支持。

作為第三代半導體材料,氮化鎵的應用前景廣泛,在數據中心,新能源汽車等領域都有運用。而國產企業實現「氮化鎵晶片」崛起,躋身全球第三,並打破了美國技術壟斷。國產企業是如何做到的呢?國產氮化鎵晶片崛起有何意義?

國產「氮化鎵晶片」崛起

半導體行業的發展十分迅速,從低端到高端的轉變,帶動了一系列產業的經濟發展。為了實現更好的產業未來,國內外都在尋求更先進,更有效的半導體材料。

目前正處於第三代半導體材料時代,已經從第一代的矽,第二代的砷化鎵發展到現在的碳化矽,氧化鋅以及氮化鎵。

就拿氮化鎵來說,目前國內非常普遍的快速充電器幾乎都用上了氮化鎵,為手機提供很大的充電效率。體驗過120W超級快充的人都知道,一部四五千毫安時的手機電池,在極速充電的情況下十到二十分鍾內就能充滿電量。

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未來還會有更多的手機廠商使用氮化鎵來製造充電器,這為氮化鎵晶片創造更大的市場空間。

但其實首先運用氮化鎵功率晶片的企業並不是中國廠商,而是一家來自美國的納微半導體公司。這家公司掌握全球領先的氮化鎵功率晶片製造技術,於2014年成立,盡管發展時間不長,可是卻成為了氮化鎵市場行業的一大黑馬。

截至今年10月份,納微半導體已經出貨了超3000萬顆自主研發的GaNFast 氮化鎵功率晶片,在該款晶片的加持下,可以為充電器帶來安全,穩定和極速的充電體驗,並降低了功耗問題避免充電器過度發熱。

隨著納微半導體的市場影響力進一步加強,只要給其足夠多的時間,恐怕中國手機廠商都需要向其采購氮化鎵功率晶片,市場份額也會被對方掌握。

但是國產企業英諾賽科打破美國技術壟斷,實現了國產氮化鎵晶片的崛起。目前英諾賽科的氮化鎵功率晶片出貨量躋身世界前三,而且英諾賽科在蘇州還擁有一座第三代半導體生產基地,可實現8英寸矽基氮化鎵晶圓的大規模量產。

產能滿載的情況下每月可生產6.5萬片晶圓。這座半導體生產基地集合了研發、設計、製造於一體,為英諾賽科提供很大的市場競爭優勢。

根據公開資料顯示,英諾賽科成立於2015年,是全球領先的氮化鎵功率器件生產製造商,掌握這項領域設計和製造等眾多生產優勢,並實現產業鏈的自主可控。

英諾賽科沒有就此止步,還在繼續向前邁進。在2021(秋季)USB PD&Type-C 亞洲展上,英諾賽科向外界展開了最新的研究成果,公布65W到240W氮化鎵功率晶片的解決方案。

以最高240W解決方案為例,其功率密度達到了41W/in3,效率突破96.5%。240W充電功率是什麼概念,要知道目前市面上最高功率的充電器也僅僅只有120W,這足足提升了一倍充電效率。

氮化鎵晶片崛起有何意義呢?

得益於優質,高效的技術和生產效率,英諾賽科受到了很多國產廠商青睞。市場上主流的廠商幾乎都和英諾賽科進行合作,產品覆蓋廣泛,在消費電源市場更是出貨了4000萬顆氮化鎵功率晶片。

在英諾賽科的推動下,國產氮化鎵產業迎來高速發展,手機充電功率不斷提高。充電時間也從原來的一個小時,半個小時到現在的十多分鍾。

如果英諾賽科240W氮化鎵功率晶片實現大規模量產並投入商用的話,未來的手機充電時間可能可以壓縮到十分鍾以下。

那麼國產氮化鎵晶片的崛起有何意義呢?僅僅只是加快手機充電速度嗎?其實不然。

在第一代半導體材料時代,以矽為主的矽基晶片改變了世界,時至今日依然會通過矽材料來生產晶片。

但行業的發展已經不局限於一種半導體材料,為了滿足更多的行業發展需求,氮化鎵這類寬禁帶材料將帶動功率電子時代的發展。在對功率有龐大需求的市場領域,傳統的矽已經無法得到滿足,所以探索新的功率材料成為向未來邁進的一個方向。

帶來的意義就是改變產業鏈模式,並讓中國在新的功率電子時代成為核心玩家。英諾賽科是全球氮化鎵功率晶片巨頭,僅僅比納微半導體晚成立一年,卻已經取得這般地位,相信未來還會取得更大的技術突破。

總結

國產企業生產出來的產品正在影響全世界,也在改變國內市場行業的發展脈絡。不僅實現自主可控,而且還增強了在世界市場的話語權。英諾賽科躋身全球前三,這只是開始,希望將來的某一天,能獲得更高的成就。


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