長鑫存儲撕開美韓技術壁壘，實現國產從0到3的突破

韓國的存儲晶片市場一直是世界領先的，美國在存儲晶片產業也有很高的技術優勢。而且三星，SK海力士正在擺脫對國外的材料，設備依賴。

以光刻膠為例，三星正准備使用韓國光刻膠廠商的產品，後續可用於14nm製程的DRAM存儲晶片製造。SK海力士還會採用EUV技術生產10nm的DRAM存儲晶片產品。

國外的巨頭都在加大布局，但其實我國存儲晶片巨頭長鑫存儲也一直在努力，而且成功打破壟斷，撕開了美韓三巨頭的技術壁壘。

作為國產存儲晶片的代表，長鑫存儲也在積極參與DRAM產業的布局。去年12英寸晶圓製造廠將月產能提升至每月4萬片，並且再次啟動每月6萬片產能的建設目標。

不僅如此，長鑫存儲還在加大建設力度，按照發展規劃，今年底預計會建成第三期的DRAM生產項目，產能最高可提升至每月36萬片。

產能方面有很大的提升，但同時在技術方面長鑫存儲也沒有落下腳步。在2019年時，長鑫存儲成功實現國產19nm的DDR4、LPDDR4存儲晶片量產，成為全球第四家掌握20nm以下的DRAM生產製造商。

另外在市場份額方面，DRAM也實現了國產從0到3的突破，年出貨量占全球份額的2.9%。相比美韓三巨頭，這是非常小的份額。

但是根據市場預計，我國到2022年，國產存儲晶片在全球市場份額中不超過5%。而長鑫存儲一家公司就占比全球的2.9%。這不僅體現出美韓三巨頭的壟斷地位有多麼強大，也能看出長鑫存儲打破壟斷有多麼不容易。

長鑫存儲為何能撕開國外技術壁壘？

從0到3的突破意味著長鑫存儲有了進一步擴展國際市場的機會，有了這樣的進步以後，相信在未來還能取得更大的突破，逐步從美韓三巨頭手中搶奪更多的市場份額。

需要注意的是，長鑫存儲成立於2017年，不到5年的時間就打破了美韓技術壟斷。國外巨頭都有幾十年的發展歷史，壟斷行業不足為奇，但長鑫存儲為何能在短短數年內，撕開國外的技術壁壘呢？

首先長鑫存儲積極擴展專利儲備，提高市場競爭力。

DRAM產業在美韓巨頭的壟斷下，形成了很多知識專利體系。長鑫存儲在短時間內很難形成與之抗衡的專利技術，為進一步提高市場競爭力，長鑫存儲在去年4月份和美國半導體公司藍鉑世簽訂協議，獲取大量專利授權許可。

有了這些保障，長鑫存儲能快速進入存儲晶片市場。這是提高市場存在感的第一步。

其次加大DRAM先進位程的開發，19nm，17nm工藝DRAM晶片均實現量產。

長鑫存儲一直在加大DRAM工藝的開發進程，2020年實現了19nm DRAM工藝存儲晶片的量產，到了2021年成功進入到17nm工藝環節。產能也在大幅提升。目前長鑫存儲主要的19nm，17nm工藝DRAM晶片都進入到了量產階段。

國產存儲晶片如何發展？

長鑫存儲還在持續發展，由於成立時間有限，難免需要通過與國際公司的合作，擴寬國際市場的道路。但在之後長鑫存儲已經可以自建生產線了，為國產DRAM晶片的進步打下更深厚的基礎。

但國產存儲晶片不能只靠長鑫存儲，放眼全球市場環境，國產存儲晶片該如何發展呢？

其實不只是長鑫存儲，長江存儲，紫光展銳等巨頭也在部署DRAM市場。中國IT產能也在迎來進步，面對國產的市場規則，國家不會坐視不管，正投入大量資源到國產晶片產業中。

存儲晶片作為重要組成部分，也將迎來產業的崛起。有眾多存儲巨頭的參與和國家的政策扶持，一定能持續發展下去，徹底撕開國外技術壁壘。

總結

中國市場不會一直由美韓巨頭壟斷，自己的市場應該由自己把控。長鑫存儲邁出了第一步，往後還會有第二步，第三步，直到從美韓巨頭手中奪得市場優勢地位。期待這一天能早日到來。